Équipement de compensation réactive dynamique
Static Var Generator (SVG) est un dispositif de compensation de puissance réactive connu pour son temps de réponse rapide et ses excellentes performances de compensation. Par rapport aux produits traditionnels de compensation de puissance réactive, l'appareil offre des avantages tels qu'une grande fiabilité-une grande capacité de compensation, un fonctionnement et une conception simples et une excellente-rentabilité.
Description des produits
Les principaux composants proviennent du fabricant d'origine et présentent une conception modulaire qui facilite l'installation, la mise en service et la maintenance. Une fois allumé, l'appareil effectue des autovérifications-et fonctionne automatiquement, ne nécessitant aucune intervention manuelle.
Caractéristiques du produit
Le dispositif d'alimentation principal adopte le composant semi-conducteur SiC Mosfet de nouvelle génération-, qui offre une fréquence de commutation supérieure à 100 kHz, une densité de puissance élevée, de faibles pertes et un rendement élevé, avec une compensation du facteur de puissance jusqu'à 0,99. Le PCBA est entièrement scellé, assurant une protection contre la poussière, la condensation et le brouillard salin. L'appareil offre des options d'installation flexibles (montage en armoire-ou mural-) et la maintenance est simple.
Scénarios d'application
Bâtiments modernes, transport ferroviaire, communications, pétrochimie, énergies nouvelles, traitements médicaux, semi-conducteurs, acier et autres domaines industriels légers et lourds.
Fiche de données
| Paramètres électriques | |
| Méthode de câblage | Triphasé-trois-fils, triphasé-quatre-fils |
| Tension de fonctionnement | 380V±20% |
| Fréquence de fonctionnement | 50/60Hz, ±10% |
| Spécifications du produit | 30kvar,50kvar,70kvar,100kvar |
| Spécifications du transformateur de courant | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Bruit | ＜65dB |
| Caractéristiques techniques | |
| Appareils de commutation | Mosfet SiC |
| Fréquence de commutation | >100 kHz |
| Méthodes de dissipation thermique | Refroidissement par air intelligent |
| Contrôle de la dissipation thermique | Réglage adaptatif de la vitesse du ventilateur |
| Fonctions de protection | Protection contre les surintensités de sortie, protection contre la limitation du courant de sortie, protection contre les surchauffes, protection contre les surtensions du bus CC, protection contre les sous-tensions d'entrée CA, protection contre les surtensions d'entrée CA, protection contre les pannes du système de contrôle, protection contre les dommages aux composants du circuit principal et protection contre les déconnexions |
| Performance de la rémunération | |
| Compensation de puissance réactive | -1 à +1 réglable (dans la plage de capacité de l'appareil) |
| Efficacité globale | Supérieur ou égal à 99 % |
| Perte de puissance active | ＜1% |
| Temps de réponse complet | <5ms |
| Compensation du déséquilibre triphasé- | Compensation totale du déséquilibre à 100 % |
| Interface d'affichage | |
| Écran d'affichage | Écran tactile couleur de 7-pieds |
| Langue | Chinois, anglais et langues personnalisables. |
| Affichage de la batterie | Affiche les données, notamment le taux de distorsion, le facteur de puissance, la puissance, la tension et le courant. |
| Interface de communication et type de protocole | Protocoles RS485, TCP/IP, Modbus et transmission de données longue distance 4G-. |
| Conditions environnementales | |
| Température de fonctionnement | -25 degrés ~ +50 degrés |
| Humidité relative | <95%, no condensation |
| Altitude | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Autres | |
| Niveau de protection | Indice IP20, autres indices disponibles sur demande. |
| Méthode d'installation | Configurations de montage en rack-, de montage mural- et d'armoire intégrée. |
Q&A
Un autre avantage significatif des MOSFET SiC est leur efficacité de commutation à haute fréquence-. Les MOSFET SiC présentent un champ électrique de claquage plus élevé, une résistance à l'état passant-plus faible et une vitesse de migration des porteurs plus rapide, ce qui les rend excellents pour les applications de commutation haute-fréquence.
1. Vitesse de commutation élevée :Les MOSFET SiC commutent beaucoup plus rapidement que les IGBT, ce qui signifie qu'ils peuvent fonctionner à des fréquences plus élevées. Des fréquences de commutation plus élevées permettent aux filtres actifs de compenser plus efficacement les harmoniques et d'améliorer la qualité de l'énergie.
2. Faibles pertes :Les MOSFET SiC présentent des pertes de commutation extrêmement faibles lors d'une commutation à haute -fréquence. Cela améliore non seulement l’efficacité globale du système, mais réduit également le besoin de gestion thermique.
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