Filtre de puissance hybride
Hybrid active filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99 %). En plus de compenser dynamiquement les harmoniques, les produits APF peuvent également compenser la puissance réactive, résolvant ainsi les problèmes de qualité de l'énergie tels que les fluctuations de tension et le scintillement. Les produits APF utilisent une technologie de contrôle de pointe-de--pour un contrôle entièrement automatisé, ce qui en fait le choix préféré pour l'élimination des harmoniques.
Description des produits
Le filtre harmonique actif SiC est un dispositif d'élimination des harmoniques entièrement numérique de nouvelle-génération développé en interne-par nos soins. Par rapport à la technologie traditionnelle, il offre des avantages distincts tels qu'un temps de réponse plus rapide, une taille compacte, des fonctionnalités améliorées, une installation et une maintenance faciles et une mise en service simple. Il peut résoudre efficacement et facilement les problèmes de qualité de l’énergie. L'APF compense dynamiquement les harmoniques, résolvant ainsi efficacement des problèmes tels que le faible facteur de puissance et les déséquilibres triphasés dans la qualité de l'énergie.
Le dispositif d'alimentation principal adopte le composant semi-conducteur SiC Mosfet de nouvelle génération-, qui offre une fréquence de commutation supérieure à 100 kHz, une densité de puissance élevée, de faibles pertes et un rendement élevé, avec un taux de filtrage des harmoniques allant jusqu'à 97 %. Il prend en charge plusieurs modes de compensation, notamment les harmoniques, la puissance réactive et le déséquilibre triphasé. Le PCBA est entièrement scellé, assurant une protection contre la poussière, la condensation et le brouillard salin. L'appareil offre des options d'installation flexibles (montage en armoire-ou mural-) et la maintenance est simple.
Caractéristiques du produit
Fiche de données
| Paramètres électriques | |
| Méthode de câblage | Triphasé à trois-fils, triphasé-à quatre-fils |
| Tension de fonctionnement | 380V/220V±20% |
| Fréquence de fonctionnement | 50/60Hz, ±10% |
| Spécifications du produit | 30A, 50A, 75A, 100A,150A |
| Spécifications du transformateur de courant | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Bruit | ＜65dB |
| Caractéristiques techniques | |
| Appareils de commutation | Mosfet SiC |
| Fréquence de commutation | >100 kHz |
| Méthodes de dissipation thermique | Refroidissement par air intelligent |
| Contrôle de la dissipation thermique | Réglage adaptatif de la vitesse du ventilateur |
| Fonctions de protection | Protection contre les surintensités de sortie, protection contre la limitation du courant de sortie, protection contre les surchauffes, protection contre les surtensions du bus CC, protection contre les sous-tensions d'entrée CA, protection contre les surtensions d'entrée CA, protection contre les pannes du système de contrôle, protection contre les dommages aux composants du circuit principal et protection contre les déconnexions |
| Performance de la rémunération | |
| Taux de filtrage des harmoniques | ＞97% |
| Efficacité globale | Supérieur ou égal à 99 % |
| Perte de puissance active | ＜1% |
| Plage de filtrage des harmoniques | Les harmoniques du 2ème au 50ème peuvent être contrôlées et configurées individuellement. |
| Temps de réponse total | ＜5ms |
| Suppression de résonance | Inhibition active |
| Interface d'affichage | |
| Écran d'affichage | Écran tactile couleur de 7-pieds |
| Langue | Chinois, anglais et langues personnalisables. |
| Affichage de la batterie | Affiche les données, notamment le taux de distorsion, le facteur de puissance, la puissance, la tension et le courant. |
| Interface de communication et type de protocole | Protocoles RS485, TCP/IP, Modbus et transmission de données longue distance 4G-. |
| Conditions environnementales | |
| Température de fonctionnement | -25 degrés ~ +50 degrés |
| Humidité relative | <95%, no condensation |
| Altitude | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Autres | |
| Niveau de protection | Indice IP20, autres indices disponibles sur demande. |
| Méthode d'installation | Configurations de montage en rack-, de montage mural- et d'armoire intégrée. |
Q&A
Quels sont les principaux avantages du carbure de silicium (SiC) ?
Le carbure de silicium est un semi-conducteur à large bande interdite avec des propriétés matérielles supérieures à celles du silicium. Pour l'AHF, cela se traduit par trois avantages clés ayant un impact direct sur la gestion thermique :
1. Fréquence de commutation plus élevée :Les MOSFET SiC commutent beaucoup plus rapidement que les IGBT. Cela permet une reconstruction plus précise du courant anti-harmonique, améliorant ainsi les performances, en particulier dans les harmoniques supérieures.
2. Réduction des pertes de commutation :Cela a le plus grand impact sur la dissipation thermique. Les caractéristiques de commutation rapides des dispositifs SiC entraînent moins de chaleur générée par transition de commutation.
3. Température de fonctionnement plus élevée :Les semi-conducteurs SiC peuvent théoriquement fonctionner à des températures de jonction allant jusqu'à 200 degrés ou plus, tandis que la limite de température de fonctionnement typique pour les IGBT en silicium est de 150 degrés. Cela offre une plus grande marge de sécurité.
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